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耐放射線、宇宙機器用4GB DDR4メモリ T04G72M

DDR4 Memory

このDDR4は、宇宙機器用LS1046、KU060とのSiPソリューションにも対応したメモリです。

製品概要

DDR4は、耐放射線性能を有する4GBのマルチチップパッケージ(MCP)による超高密度メモリソリューションで、宇宙用のエンベデッドシステムにご利用頂くことができます。

宇宙用途に適した特徴

  • 宇宙用としての品質認定
  • NASAレベル1まで対応(NASAのEEE-INST-002 – Section M4 – PEMsによる)
  • ECCSクラス1まで対応(ECSS-Q-ST-60-13C)
  • 耐放射線性能
  • SEL LETしきい値 > 60.88MeV.cm²/mg
  • SEU LETしきい値8.19MeV.cm²/mg Upset(アップセット)断面積@60.88MeV.cm²/mg=5.55E-12cm²/bit
  • SEFI LETしきい値2.6MeV.cm²/mg   SEFI(シングルイベントファンクショナルインタラプト)断面積@60.88MeV.cm²/mg=2.22E-4cm²/device
  • TIDターゲット 100Krad:2020年夏発表予定

性能、サイズ、耐故障性

  • 4GB;72 ビット(64 ビットデータ + 8 ビットECC)
  • 2.4GT/s ターゲット、2.1GT/s まで有効
  • サイズ 15 mm x 20 mm x 1.92 mm

サンプル出荷を開始

  • メカニカルサンプル:あり
  • EM: 2020年6月

オーダー情報

製品名 耐放射線性能 DDRサイズ バス幅 温度範囲 パッケージタイプ 速度(MT/s) Rev 宇宙グレード
DDR4 T:RAD TOL(耐放射線性) 04G : 4 Gbyte

08G : 8 Gbyte

72 : 72 bits M : -55/125C

A : -40/105C

C : 0/70C

ZR:PBGA 積層ワイヤボンディング(C5 共晶はんだ)

ZS:PBGA 積層ワイヤボンディング(C5 RoHS対応)

T : 1866

1 : 2133

2 : 2400

A -N1:NASAレベル1

-N2:NASAレベル2

-N3:NASAレベル3

EM:エンジニアリングモデル

EQM:エンジニアリング認定モデル

-E1:ECCSクラス1

-E2:ECCSクラス2

-E3:ECCSクラス3

注記: 8GB品は製品化を計画中。

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